Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
На сайте электронной библиотеки Litportal вы можете скачать книгу Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет в формате fb2, rtf, pdf, txt, epub. У нас можно прочитать отзывы и рецензии о этом произведении.