Книга Fundamentals of Silicon Carbide Technology. Growth, Characterization, Devices and Applications - скачать бесплатно в pdf, Tsunenobu Kimoto
Fundamentals of Silicon Carbide Technology. Growth, Characterization, Devices and Applications
Добавить В библиотеку
Оценить:

Рейтинг: 4

Поделиться
Купить и скачать

Fundamentals of Silicon Carbide Technology. Growth, Characterization, Devices and Applications

Автор:
Год написания книги: 2018
A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were released as commercial products in 2001. The SiC SBD market has grown significantly since that time, and SBDs are now used in a variety of power systems, particularly switch-mode power supplies and motor controls. SiC power MOSFETs entered commercial production in 2011, providing rugged, high-efficiency switches for high-frequency power systems. In this wide-ranging book,…
Далее
Fundamentals of Silicon Carbide Technology. Growth, Characterization, Devices and Applications
На сайте электронной библиотеки Litportal вы можете скачать книгу Fundamentals of Silicon Carbide Technology. Growth, Characterization, Devices and Applications в формате fb2.zip, txt, txt.zip, rtf.zip, a4.pdf, a6.pdf, mobi.prc, epub, ios.epub, fb3. У нас можно прочитать отзывы и рецензии о этом произведении.

Читать онлайн

Спасибо за оценку! Будем признательны, если Вы оставите комментарий о данном произведении.
Помогите, пожалуйста, другим читателям нашего сайта, оставьте отзыв или рецензию о прочитанной книге.