Технологии формирования изолирующих областей интегральных микросхем с использованием тонких диэлектрических пленок

Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с созданием основных узлов диэлектрической изоляции в интегральных микросхемах (ИМС): диэлектрической изоляции в подложке кремния и предметаллического диэлектрика – диэлектрической изоляции между транзисторными структурами и первым уровнем металлической разводки ИМС. На примере этих узлов хронологически проанализированы проблемы и технологические решения по получению конформных диэлектрических пленок на основе диоксида кремния на усложняющихся рельефах интегральных микросхем. Пособие составлено на базе 40-летнего личного опыта работы автора на отечественных и зарубежных предприятиях микроэлектронной отрасли. Материал пособия мо…