Полупроводники - ТОП 50 лучших книг

Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена статистика электронов и дырок в полупроводниках. Для специалистов в области приборостроения. Издание может быть полезно студентам и аспирантам технических вузов.

В учебном пособии представлены различные физико-химические, электрофизические и эксплуатационные свойства композиционных материалов, содержащих металлические и полупроводниковые наночастицы. Материал можно условно разбить на несколько блоков, в которых рассматриваются строение наночастиц и их поведение при воздействии электрического, магнитного и электромагнитного полей. Также уделено внимание исследованию биологических систем и применению наноматериалов в медицине. Ряд явлений, обсуждаемых в книге, интересны не только с научной точки зрения, но и сулят заметный практический выход, а в некоторых случаях уже эффективно используются в промышленных масштабах. В заключение рассматриваются актуальные проблемы, связанные с воздействием нанообъектов на организм человека вследствие биологической активности наночастиц, обусловленной их высокой проникающей способностью и эффективным взаимодействием с живой клеткой. Все вопросы, обсуждаемые в книге, представлены высококвалифицированными специалистами, активно работа…

В доме президента полупроводниковой компании, где живет его сын студент Ютака, появляется новая горничная Мэй. Неожиданно выясняется, что её давно интересуют полупроводники. Мэй просто не знает такого слова, и Ютака соглашается давать ей частные уроки. Ютака рассказывает, чем полупроводники отличаются от проводников и диэлектриков и почему благодаря им появляется возможность создавать приборы с удивительными свойствами. Далее рассказ ведётся о характеристиках этих приборов и их применении в интегральных схемах, которыми насыщена вся современная электронная техника. Книга предназначена для школьников и студентов (но не только), окружённых смартфонами, планшетами, ноутбуками и желающих наконец выяснить, что же всё-таки лежит в основе всего этого многообразия!

Книга написана сотрудниками компании Infineon Technologies, одного из мировых лидеров в области полупроводниковой электроники. Сборник содержит проверенные временем фундаментальные знания по полупроводникам от A (АЦП) до Z (эффект Зенера), в том числе главы по диодам и транзисторам, силовым приборам, элементам оптоэлектроники. датчикам, микросхемам памяти и микроконтроллерам. Также приведены сведения по смарт-картам, полупроводниковым устройствам для автомобилей, коммуникационным модулям. Отдельная глава посвящена электромагнитной совместимости компонентов. Реальная новизна книги состоит в том, что авторы сумели изложить в ней все современные тенденции, веяния и достижения в области полупроводниковых технологий. Издание будет полезно инженерам-электронщикам и электротехникам, а также преподавателям и студентам, которым всегда нужно иметь под рукой сборник справочных материалов по современной микроэлектронике.

В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.

Учебное пособие соответствует содержанию Государственного образовательного стандарта подготовки бакалавров (программа «Электроэнергетика и электротехника») и магистров (программа дисциплин «Силовая электроника», «Электротехника и основы электроники», «Проектирование полупроводниковых электрических аппаратов»). Отражены вопросы применения силовых полупроводниковых приборов (СПП) в устройствах электротехники. Рассмотрено современное состояние разработок и производства силовых полупроводниковых приборов, тенденции развития элементной базы силовой электроники. Показаны технологические операции, влияющие на параметры СПП. Рассмотрены перспективы в достижении предельных параметров силовых полупроводниковых приборов. Пособие предназначено для студентов высшего профессионального образования, обучающихся по направлению подготовки «Электроэнергетика и электротехника», а также студентов, изучающих дисциплину «Электротехника и электроника». Может представлять интерес для специалистов, работающих в области полупроводн…

В монографии изложены основные принципы построения и анализ работы термоэлектрических полупроводниковых устройств и интенсификаторов теплопередачи, а также изложены основные принципы применения светоизлучающих полупроводниковых p-n-переходов, отводящих энергию в окружающее пространство в виде электромагнитного излучения. Новый тип термоэлектрических полупроводниковых приборов обладает большим быстродействием, энергоэффективностью, мощностью и надежностью за счет уменьшения доли паразитных тепловыделений, снижения величины резистивного сопротивления и рекуперации части электромагнитного излучения. Перспективным направлением является достижение глубокого охлаждения до уровня абсолютного нуля по Кельвину с целью создания сверхпроводящих криотронных микроэлектронных устройств. Для инженеров и научных сотрудников, занимающихся проблемой охлаждения компонентов микроэлектронной аппаратуры, а также для специалистов, занимающихся термоэлектрическим приборостроением. Монография может быть полезной для студентов ву…

Рассмотрены свойства простых веществ и соединений химических элементов периодической системы элементов Д. И. Менделеева в нетрадиционной классификации: металлы и неметаллы, а также полупроводниковые и композиционные материалы. Пособие адресовано студентам вузов, обучающимся по направлениям подготовки и специальностям, входящим в УГС: «Электроника, радиотехника и системы связи», «Электро- и теплотехника», «Физико-технические науки и технологии», «Машиностроение», «Технологии материалов», «Техносферная безопасность и природо-обустройство», «Нанотехнологии и наноматериалы», «Химические технологии» и другим, где предусмотрено изучение неорганической химии в качестве базового курса.

Настоящее учебное пособие предназначено для студентов, магистрантов и аспирантов, специализирующихся в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов и наноэлектроники. Оно также может быть рекомендовано студентам, инженерам и научным работникам, желающим самостоятельно изучать физику низкоразмерных систем или расширить и систематизировать свои знания в области физических основ наноэлектроники. Пособие состоит из двенадцати разделов, каждый из которых включает краткое теоретическое введение, примеры решения задач, задачи для решения на практических занятиях и самостоятельной работы.

Излагаются основы статистической физики классических и квантовых равновесных систем. Приводятся примеры, иллюстрирующие теоретические положения из области микро- и наноэлектроники, фотоники, физики конденсированного состояния. Предлагаются задачи для самостоятельной работы. Издание предназначено для студентов, изучающих курсы: «Физика твердого тела», «Физика полупроводников», «Физика конденсированного состояния», «Наноэлектроника», «Фотоника», где используются методы и результаты статистической физики. Работа подготовлена на кафедре полупроводниковых приборов и микроэлектроники НГТУ для студентов инженерно-физических специальностей.

Настоящее учебное пособие представляет собой вторую часть рабочего материала, входящего в состав программы курса «Квантовая механика и статистическая физика», изучаемых в бакалаврских направлениях подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи». В пособии изложены разделы квантовой механики, посвященные внешним воздействиям температуры и магнитных полей, а также образованию поверхностных и объёмных дефектов и их учёту в рассмотрениях изменений энергетических состояний, которые влияют на свойства некоторых материалов радиоэлектроники. Подробно рассмотрены теория сверхпроводимости металлов, образование и взаимодействие ряда квазичастиц: поверхностных поляритонов, спиновых волн, плаз-монов и магнонов при указанных внешних воздействиях. В учебном пособии также имеются контрольные вопросы для проверки уровня освоения материала. Пособие предназначено для курсов, изучаемых в бакалаврских направлениях подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может быть использовано и для…

Приведены схемотехнические реализации и изложены теоретические аспекты конструирования, изготовления и настройки импульсных источников электропитания. Даны систематизированные сведения по современным силовым преобразователям. Описаны многочисленные спроектированные и изготовленные автором практические конструкции законченных электропитающих устройств различной сложности и мощности, их блоков, результаты экспериментально-исследовательских работ. Показаны модели, созданные в симуляторе LTspice. Проанализированы причины уменьшения энергетических параметров электропитающих устройств. Для инженеров, разрабатывающих устройства силовой электроники, студентов и аспирантов специальных учебных заведений технического профиля и подготовленных радиолюбителей.

Рассмотрены основы теории электрических цепей, элементы полупроводниковой и цифровой электроники, организация вторичных источников электропитания и интерфейсы цифровых устройств. Пособие включает курс практических работ, позволяющих освоить принципы проектирования элементов и узлов цифровой электроники на практике. Предназначено для бакалавров направления подготовки 09.03.01 «Информатика и вычислительная техника». Может использоваться в качестве основной и дополнительной литературы при изучении дисциплин «ЭВМ и периферийные устройства», «Сети и телекоммуникации», «Схемотехника ЭВМ», «Цифровая электроника» и пр.

Справочник по интегральным микросхемам – контроллерам балластов люминесцентных ламп различного типа (диммируемые и недиммируемые балласты EL, CFL, CCFL, EEFL). По каждой ИМС приводятся ее особенности, варианты исполнения (корпус), основные электрические характеристики, области применения, назначение выводов, блок-схема и схема включения. Справочник предназначен для сервисных служб и специалистов, занимающихся ремонтом бытовой и измерительной техники, имеющей ЖК-панели (телевизоры, мониторы, но-утбуки, автомагнитолы, навигаторы, измерительные приборы и т. д.). В справочнике приводится около 150 ИМС различных производителей.

Приведены современные требования к геометрической точности изготовления пластин-подложек интегральных микросхем. Рассмотрены кремниевые подложки диаметром 150 и 200 мм, а также сапфировые подложки диаметром 100 мм. Описаны новые технологические операции, применяемые при производстве полупроводниковых пластин. Для студентов специальности «Проектирование и производство электронной аппаратуры» и «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», изучающих курс «Микроэлектроника». Ил. 17. Табл. 8.

В книге приводится маркировка пассивных и активных радиоэлектронных компонентов импортного и отечественного производства. Широко представлена продукция ведущих производителей «Vishay Elektronic GmbH», «AVX Limited», «Bourns, inc», «Murata Elektronic GmbH», «NIC Components Corporation», «Philips Components», «Siemens Matsushita Components GmbH & Co», «Hewlett-Packard GmbH» и др. Справочные материалы систематизированы по видам изделий и сгруппированы по разделам, где приведены сведения в табличной и графической форме по цветовому и символьному кодированию номинала, рабочего напряжения, допуска л других характеристик. Книга предназначена для специалистов в области радиоэлектроники, работников сервисных и ремонтных служб, радиоинженеров и студентов технических колледжей и вузов, широкого круга подготовленных радиолюбителей.

Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов производства полупроводниковых приборов силовой электроники и приведены применяемые в них материалы. Содержание учебного пособия соответствует курсам лекций, которые авторы читают в МГТУ им. Н. Э. Баумана. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки специалистов 210600 «Радиоэлектронные системы и комплексы». Будет полезно аспирантам и инженерам, специализирующимся в данной области.

Представлены общие сведения о материалах, используемых в современной электронике, и физике явлений, происходящих в проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах. Рассмотрены электрические и магнитные свойства материалов. Показаны технологии производства важнейших материалов и их применение. Изложены физические принципы, положенные в основу материалов и технологий наноэлектроники. Пособие предназначено для студентов вузов, специализирующихся в области химической технологии материалов и изделий электронной техники.

Справочная монография, отражающая почти 60-летний период разработки и развития одного из старейших негатронов – однопереходного транзистора (ОПТ) и его схемотехнических аналогов. Впервые, наряду с описанием обычных ОПТ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие программируемые ОПТ, оптроны на фото-ОПТ, интегрированные с тиристором ОПТ, функциональные схемы на ОПТ в интегральном исполнении, транзисторные аналоги ОПТ и многочисленные схемы применения приборов этого класса. Наряду с достоинствами приборов объективно описаны их недостатки и ограничения. Для инженеров, студентов, аспирантов и преподавателей вузов и университетов, специализирующихся в области промышленной, авиационной, энергетической и бытовой электроники, а также для подготовленных радиолюбителей.

В учебном пособии приведен базовый теоретический материал для курсов «Физика полупроводников», «Материалы и элементы электронной техники», «Техническая электродинамика», «Специальные разделы физики», в которых рассматриваются основные кинетические эффекты, проявляющиеся в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей. Пособие предназначено для курсов, читаемых для бакалаврских направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для других направлений.

В монографии рассмотрены основное состояние и термодинамика антиферромагнетиков, спиновой жидкости с четырехспиновым взаимодействием в низкомерных полупроводниках. Исследованы спектр спин-поляронных возбуждений, термоэдс, электросопротивление и магнитосопротивление при изменении магнитной структуры в рамках -модели. Определены роль сильных электронных корреляций и взаимодействия электронов с решеткой на орбитальное упорядочение электронов, магнитные фазовые переходы в ионах с трехкратным вырождением. Рассматривается влияние квантовых флуктуаций на магнитную структуру при орбитальном упорядочении, приводящем к разной топологии обменных взаимодействий. Предложен микроскопический механизм магнитоэлектрических и магнитных свойств в сульфидах марганца с кобальтом. Книга будет полезна магистрантам-физикам, аспирантам по специальности «Физика конденсированного состояния, магнитных явлений», научным сотрудникам и профессорско-преподавательскому составу.

Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу «Основы полупроводниковой электроники», читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на 6 глав: физические основы работы р-n-перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические элементы, полупроводниковые генераторы. В начале каждой главы даётся краткий теоретический материал по соответствующей теме и разбираются типичные задачи. В конце каждой главы приведены ответы для всех задач. В приложениях даны характеристики наиболее часто применяемых транзисторов и проведены трудоёмкие математические расчеты. Задачник рассчитан на студентов, обучающихся по соответствующим специальностям, и может быть полезен преподавателям при подготовке к занятиям.

Эволюция изделий интегральной микроэлектроники неотделима от прогресса в области технологии корпусирования интегральных микросхем, которую еще 10–15 лет тому назад относили к разряду второстепенных, не требующих проведения широкомасштабных научных исследований и базирующихся на использовании возможностей имеющегося парка сборочного оборудования. За этот период решены многие находившиеся в центре внимания существенные проблемы в области микроэлектроники. В данный же момент наблюдается резкое повышение интереса ученых и специалистов серийных производств к технике корпусирования современных изделий интегральной микроэлектроники – больших интегральных схем (БИС) и сверхбольших интегральных микросхем (СБИС), в которой центральное место занимает микромонтаж кристаллов. В книге обобщены результаты теоретических и экспериментальных исследований физико-химических свойств тонких пленок, наносимых на кристаллы, рассмотрены базовые элементы корпусов и выводных рамок БИС, детально оговорены особенности технологическог…

Рассмотрены основные вопросы физики полупроводников, описаны элементная база и современные устройства промышленной электроники, элементы импульсной и цифровой схемотехники. Приведены методики и основные расчетные соотношения для анализа работы элементов и отдельных устройств электроники, в конце каждой главы даны контрольные вопросы. В пособии дан список современной литературы по физическим основам электроники. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов». Может быть рекомендовано также для специальностей «Электроснабжение горного производства» и «Технология машиностроения».

Пособие предназначено для первоначального ознакомления со структурой и основными особенностями интегрального операционного усилителя (ИОУ). Изложены базовые сведения о схемотехнике входных и выходных цепей ИОУ. Приведены описания основных схем включения ИОУ, примеры типовых схем усилителей и порядок их практического расчета. Пособие можно использовать для самостоятельного изучения материала и при курсовом проектировании.

Настоящая монография содержит теоретические и экспериментальные результаты исследований в области формирования твердых растворов на основе SiC и соединений AlN, GaN, NbC, TiC, ZrC методами жидкофазной и газофазной эпитаксии. В работе представлены электрофизические, оптические и структурные свойства монокристаллов, эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе твердых растворов SiC, а также рассмотрены их приборные применения. Книга адресована научным работникам, аспирантам и студентам, работающим в области физики и технологии широкозонных полупроводниковых материалов, а также специалистам электронной промышленности.

В учебном пособии рассмотрена совокупность вопросов, связанных с организацией современной микроэлектронной отрасли и производства интегральных микросхем (ИМС). Основной стремительного роста микроэлектронной индустрии является открытый конкурентный заинтересованный рынок, который развивается за счет возникновения и формирования новых потребностей у потребителей, инвестиций в исследования материалов и технологий, развития новых технологий, производств, аппаратуры. Имеют место глобализация микроэлектронной индустрии и объединение усилий в рамках альянсов и ассоциаций для решения общих задач. Дается общее представление об устройстве типичного полупроводникового предприятия по производству чипов ИМС. Рассмотрены тенденции проектирования современного оборудования для производства ИМС. Имеет место постепенный перенос к изготовителям оборудования работ по разработке и интеграции отдельных технологических процессов, а также сервисного обслуживания потребителей. Кратко охарактеризована основная деятельность инженер…

Полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи (солнечные элементы) – это силовые полупроводниковые приборы, генераторы, осуществляющие прямое преобразование световой энергии в электрическую за счет наличия в конструкции фоточувствительных материалов. Современные гетероструктурные солнечные элементы, демонстрирующие рекордные значения по эффективности преобразования, имеют сложную полупроводниковую структуру (InGaP/InGaAs/Ge), металлические токосборные контакты, защитное просветляющее покрытие. Эти элементы конструкции и технологии их создания в том или ином виде находят применение в других полупроводниковых приборах. Вместе с тем солнечные элементы являются планарными приборами и для них принципиальным становится соблюдение заданных параметров для всех частей конструкции на большой площади прибора, потому к технологии их изготовления предъявляются повышенные требования. Особенности технологии, методы и методики измерений и исследований, применяемые при создании таких приборов, могут быть полезны спе…

В книге рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области инновационных технологий и оборудования для микроэлектронного производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.

В пособии описываются основные устройства, сочетающие как аналоговые, так и цифровые цепи, применяемые в микропроцессорной технике для взаимодействия с аналоговым миром, окружающим процессор. К таким устройствам относятся аналоговые коммутаторы, пороговые устройства (с гистерезисом и без), цифроаналоговые преобразователи и аналого-цифровые преобразователи. Рассмотрены не только принципы действия подобных устройств, но и приведены конкретные примеры их реализации, что позволяет рекомендовать данное пособие для курсового проектирования.

В учебном пособии рассмотрены различные типы излучательной рекомбинации в легированных полупроводниковых кристаллах. Приведены основные теоретические модели, описывающие электронную структуру и оптические свойства полупроводниковых кристаллов, содержащих примеси, анализируются результаты некоторых экспериментальных исследований люминесценции полупроводниковых кристаллов. Пособие рассчитано на студентов и аспирантов, специализирующихся в области оптики твердого тела.

Монография посвящена детекторам видимого, дальнего ближнего и дальнего ИК диапазонов на основе пленок TiN, исследование времени релаксации энергии в сверхпроводящих пленках алмаза, легированного бором, разработка и исследование сверхпроводникового однофотонного детектора на основе нанопроводника из NbN для когерентного детектирования слабых сигналов.

В книге представлена информация о принципах работы и основных технических характеристиках базовых элементов силовой электроники. На практических примерах рассмотрены основные аспекты проектирования и изготовления элементов силовой электроники, особенности их применения в различных типах энергосберегающих приборов и электронных устройств для осветительной техники, автоэлектроники, управления электродвигателями и источниками питания. Книга ориентирована на широкий круг читателей – ученых, инженерно-технических работников, студентов, инженеров-разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.

В монографии исследуются связанные состояния электрона в квантовых точках и кольцах, которые локализованы во внутреннем слое двойной полупроводниковой гетероструктуры. Квантовые точки и кольца рассматриваются как двумерные круговые нанообъекты с удерживающими прямоугольными потенциалами конечной глубины. Учитывается влияние на состояния электрона как спин-орбитальных взаимодействий Рашбы и Дрессельхауса, так и внешнего магнитного поля. Получены волновые функции и дискретные уровни энергии электрона, соответствующие различным соотношениям интенсивностей двух типов спин-орбитальных взаимодействий. Адресуется научным работникам, преподавателям, студентам и аспирантам, специализирующимся в области применения квантово-механических расчетов в физике полупроводников.

В методическом пособии на качественном уровне рассматриваются элементы зонной теории твёрдых тел. Приводится методика эксперимента по определению температурной зависимости электросопротивления металлов и полупроводников. Методические указания предназначены для студентов физических специальностей дневной формы обучения.

В настоящем учебном пособии рассмотрены основные типы дефектов кристаллической решётки и их влияние на свойства полупроводникового кристалла. Полупроводниковый кристалл – основа микроэлектроники. Создание полупроводниковых материалов со строго заданными параметрами электрических и оптических свойств – сложнейший технологический процесс. Малейшие отклонения от заданного состава полупроводникового материала, как широко известно, приводят к неконтролируемому изменению его свойств. Менее широко известно, что практически такую же роль играет степень дефектности полупроводникового кристалла, т. е. количество и качество отклонений от идеальной кристаллической структуры, появляющихся в кристалле в процессе его роста под влиянием многочисленных внешних факторов: диффузионных ограничений, температурных флуктуаций, побочных химических реакций и т. д. Книга адресована студентам, специализирующимся по направлениям «Физическая химия», «Неорганическая химия», и может использоваться в качестве учебного пособия к курсу «Х…

В настоящем учебном пособии, состоящем из двух книг, приведён материал, входящий в состав программы курса «Квантовая механика и статистическая физика». В первой части пособия рассматриваются основные положения квантовой механики и теория колебаний различного типа в объёме кристаллических структур диэлектриков, полупроводников и металлов. Рассмотрены также кинетические процессы в различных твердотельных кристаллических структурах, применяемых в полупроводниковой радиоэлектронике. В учебном пособии также имеются контрольные вопросы для проверки уровня освоения материала и справочные базовые соотношения операторного исчисления. Пособие предназначено также для курсов, изучаемых в бакалаврских направлениях подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для обучающихся на других направлениях.

В монографии приведены результаты экспериментальных исследований генерации импульсных электронных и ионных пучков гигаваттной мощности в диодах со взрывоэмиссионным катодом в условиях быстрого формирования плазмы на всей рабочей поверхности катода. Рассмотрены наиболее важные физические процессы при генерации импульсных электронных и ионных пучков наносекундной длительности. Состав пучка – ионы углерода и протоны. Выполнены исследования полоскового диода плоской и фокусирующей геометрии, кольцевого плоского диода. Для специалистов в области сильноточной электроники, генерации импульсных пучков заряженных частиц, а также для студентов и аспирантов физических специальностей: «Физика и техника низкотемпературной плазмы, плазмохимия и плазменные технологии», «Физика и техника мощных пучков заряженных частиц. Радиационно-пучковые технологии модифицирования материалов». Издание осуществлено при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований по проекту 12-08-07014, не подлежит продаже

В книге изложены основные вопросы полупроводниковой электроники, необходимые для понимания работы современных полупроводниковых устройств. Подробно рассмотрена работа полупроводниковых приборов и базовых элементов аналоговых и цифровых схем. Для лучшего усвоения материала в начале книги приведены основные положения физики полупроводников. Пособие рассчитано на широкий круг читателей, знакомых с курсами физики и математики в объеме средней школы. Оно может быть полезно бакалаврам, студентам и преподавателям технических вузов.

Изложены основные понятия зонной теории твердых тел и динамики блоховских электронов. На основе зонной теории рассмотрены электрические и оптические свойства металлов и полупроводников, а также основные магнитные свойства твердых тел. Предназначено для бакалавров направления подготовки 03.03.02 «Физика».

В книге рассмотрены задачи, методы и особенности автоматизированного лабораторного практикума с удаленным доступом (АЛП УД) по исследованию полупроводниковых приборов, приведено описание реализующей его системы АЛП УД «Электроника», в том числе входящего в ее состав аппаратно-программного комплекса (АПК) «Электроника», разработанного на основе технологии корпорации National Instruments в региональном инновационном центре «Центр технологий National Instruments» при ФГОУ ВПО «Сибирский федеральный университет». Приведены задания и методические указания к лабораторным работам по экспериментальному исследованию и моделированию полупроводниковых диодов, стабилитронов, полевых и биполярных транзисторов, включающие измерение их вольт-амперных характеристик и параметров, исследование технологического разброса и работы на переменном токе. Издание предназначено для студентов и учащихся технических специальностей вузов, колледжей, профессиональных училищ и лицеев для использования в лабораторном практикуме дисциплин…

Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направлений микроэлектроники. Для студентов специальностей 210201.65, 210202.65 и направления 551100, а также студентов родственных специальностей.

Содержит лабораторные и практические работы по базовому курсу «Физические основы микроэлектроники». Представлены краткие теоретические сведения, связанные с исследованием основных параметров полупроводников, контактов и МДПструктур. Приведены примеры решения задач по различным разделам дисциплины, а также задачи для самостоятельного решения. Включен раздел, посвященный методам планирования эксперимента, обработки и оформления результатов работ. Для студентов специальностей 210201.65, 210202.65, а также родственных специальностей.

Методические указания содержат описание лабораторных работ по курсу «Методы исследования материалов и структур микроэлектроники и твердотельной СВЧ-электроники». В сборнике представлены лабораторные работы по электрическим, оптическим, рентгеновским и электронно-микроскопическим методам контроля свойств материалов и структур, применяющихся в технологии микроэлектроники и твердотельной СВЧ-электроники. Материал предназначен для магистров дневного отделения с направлением подготовки по специальности 11.04.04, а также может быть использован аспирантами с направлениями подготовки по специальностям 05.27.01 и 05.27.06, научными работниками и инженерами базового предприятия.

Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области техноло…

Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.

Методологически дисциплина построена на основе оптимального соотношения теоретических и прикладных вопросов проектирования полупроводниковых матричных приемников излучений. Теоретические основы изложены так, чтобы показать основные физические процессы, происходящие в элементах интегральной микросхемы матричного приемника излучений. Прикладные вопросы ориентируют слушателей на решение типовых задач проектирования технологии, конструкции и схемотехники оптических матричных интегральных микросхем. Этот курс дает недостающую информацию для инженеров и физиков, которые хотят больше узнать об интегрированных оптоэлектронных схемах, реализуемых по кремниевой технологии, и предназначен быть связующим звеном между микроэлектроникой и оптоэлектроникой. Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по укрупненной группе специальностей 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи» и специалистов, работающих на предприятиях в сфере оптоэлектроники.

Данное пособие охватывает вопросы, посвященные применению программной среды MATLAB для решения задач курсов: «Полупроводниковые преобразователи энергии», «Силовая электроника», «Промышленная электроника», «Электротехника и основы электроники», «Электрические и электронные аппараты ». Пособие знакомит студентов с общими основами применения программы MATLAB для моделирования устройств преобразовательной техники и получения навыков, основами их теории и анализом. Детально рассмотрены принципы создания и выполнения виртуальных лабораторных работ на базе пакета Simulink. Методы моделирования электрических схем устройств преобразовательной техники снабжены наглядными примерами. Приведены примеры лабораторных работ, позволяющие самостоятельно студентам выполнять задания. Учебное пособие предназначено для бакалавров и магистров всех форм обучения, обучающихся по направлениям «Электроэнергетика и электротехника», «Энергетическое машиностроение». Также может быть полезно аспирантам и специалистам, занимающимся вопр…