Все науки. №6, 2022. Международный научный журнал

– двуосные, обладают большим двойным преломлением, ниже температуры. Кюри Т

=22

С кристаллы SbSI принадлежат к классу mm2 и обладают ромбической симметрией. При фазовом превращении происходит исчезновение центра симметрии, следовательно, ниже точки перехода кристаллы SbSI становятся сегнетоэлектриками.

Фазовый переход при 22

С был зарегистрирован впервые Фатуццо [5] при изменении температурной зависимости диэлектрической проницаемости. Кристаллы обладают ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, их фотоэлектрические свойства хорошо изучены [1].

Измерения проводились для монокристаллов SbSI в сегнетоэлектрической фазе при температуре Т=133 К. Кристалл освещался плоско поляризованным светом с помощью ксеноновой лампы и монохроматора ЗМР. Измерялся стационарный фотовольтаический ток J по ранее описанному [1] методу. В соответствии с симметрией SbSI (точечная группа mm

) при измерении J

(z – направление спонтанной поляризации) и освещении кристалла в x и y направлениях ПОФТ не возникает. Выражение для фотовольтаического тока J

при освещении в x и y направлениях, соответственно, имеет вид:

где I—интенсивность света, ?—угол между плоскостью поляризация света и осью z. На рис.1 кривая 1 представляет экспериментальную угловую зависимость J

 (?) для ?=600 нм при освещении вдоль [100]. Из сравнения экспериментальных угловых зависимостей J

 (?) с (4) и (5) были оценены численные значения ?

 или фотовольтаические коэффициенты

С учетом плеохроизма и анизотропии отражения света в SbSI [6] были получены следующие значения:

К

4?10

; К

3?10

; K

 (2—3) ?10

А?см? (Вт)

. Таким образом, в SbSI фотовольтаические коэффициенты K

, K

, K

 более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты в LiNbO

: Fe.

Рис.1. Зависимость фотовольтаического тока J

 (1) при l = 600 нм и J

 (2) при l = 460 от ориентации плоскости поляризации света в SbSI.

Согласно (2), для SbSI компоненты фотовольтаического тока и являются пространственно-осциллирующими. Однако при освещении кристалла в области сильного поглощения в направлении осей x или y и при выполнении условия (3) вдоль поверхностей (100) и (010), соответственно, текут токи.

где ? – угол между плоскостью поляризации света и осью z. Согласно [1,7] для SbSI условие сильного поглощения (3), должно выполняться уже при ?470 нм. Для наблюдения ПОФТ в условиях сильного поглощения на грань цинакоида (010) напылялись серебряные электроды в форме полос, параллельных оси спонтанной поляризации z. С помощью этих электродов при освещении кристалла в направлении [010] поляризованным светом с ?=460 нм измерялся ток J

 кривая 2 и длинноволновой области (?=600нм, кривая 1) измерялся ток J

. Угловая зависимость измеряемого тока удовлетворяет (5), в том время как ток J

 в этой области вообще не может наблюдаться из-за нарушения условия (3) и пространственной осцилляции. На рис. 2 представлены спектральные J

 (кривая 1), J

 (кривая 2), отнесённые к единице падающий энергии, а также спектральная зависимость

построенная с учётом дисперсии n

, n

 и коэффициента поглощения ?

 в [010] направления.

Угловую зависимость J

 (?) в форме кривой 2, которая хорошо согласуется с (7) при К

= (2—4) ·10

А·см· (Вт)

(?=460нм).

Рис. 2. Спектральная зависимость J

 (1), J

 (2) и L=l

?

 (3).