– двуосные, обладают большим двойным преломлением, ниже температуры. Кюри Т
=22
С кристаллы SbSI принадлежат к классу mm2 и обладают ромбической симметрией. При фазовом превращении происходит исчезновение центра симметрии, следовательно, ниже точки перехода кристаллы SbSI становятся сегнетоэлектриками.
Фазовый переход при 22
С был зарегистрирован впервые Фатуццо [5] при изменении температурной зависимости диэлектрической проницаемости. Кристаллы обладают ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, их фотоэлектрические свойства хорошо изучены [1].
Измерения проводились для монокристаллов SbSI в сегнетоэлектрической фазе при температуре Т=133 К. Кристалл освещался плоско поляризованным светом с помощью ксеноновой лампы и монохроматора ЗМР. Измерялся стационарный фотовольтаический ток J по ранее описанному [1] методу. В соответствии с симметрией SbSI (точечная группа mm
) при измерении J
(z – направление спонтанной поляризации) и освещении кристалла в x и y направлениях ПОФТ не возникает. Выражение для фотовольтаического тока J
при освещении в x и y направлениях, соответственно, имеет вид:
где I—интенсивность света, ?—угол между плоскостью поляризация света и осью z. На рис.1 кривая 1 представляет экспериментальную угловую зависимость J
(?) для ?=600 нм при освещении вдоль [100]. Из сравнения экспериментальных угловых зависимостей J
(?) с (4) и (5) были оценены численные значения ?
или фотовольтаические коэффициенты
С учетом плеохроизма и анизотропии отражения света в SbSI [6] были получены следующие значения:
К
4?10
; К
3?10
; K
(2—3) ?10
А?см? (Вт)
. Таким образом, в SbSI фотовольтаические коэффициенты K
, K
, K
более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты в LiNbO
: Fe.
Рис.1. Зависимость фотовольтаического тока J
(1) при l = 600 нм и J
(2) при l = 460 от ориентации плоскости поляризации света в SbSI.
Согласно (2), для SbSI компоненты фотовольтаического тока и являются пространственно-осциллирующими. Однако при освещении кристалла в области сильного поглощения в направлении осей x или y и при выполнении условия (3) вдоль поверхностей (100) и (010), соответственно, текут токи.
где ? – угол между плоскостью поляризации света и осью z. Согласно [1,7] для SbSI условие сильного поглощения (3), должно выполняться уже при ?470 нм. Для наблюдения ПОФТ в условиях сильного поглощения на грань цинакоида (010) напылялись серебряные электроды в форме полос, параллельных оси спонтанной поляризации z. С помощью этих электродов при освещении кристалла в направлении [010] поляризованным светом с ?=460 нм измерялся ток J
кривая 2 и длинноволновой области (?=600нм, кривая 1) измерялся ток J
. Угловая зависимость измеряемого тока удовлетворяет (5), в том время как ток J
в этой области вообще не может наблюдаться из-за нарушения условия (3) и пространственной осцилляции. На рис. 2 представлены спектральные J
(кривая 1), J
(кривая 2), отнесённые к единице падающий энергии, а также спектральная зависимость
построенная с учётом дисперсии n
, n
и коэффициента поглощения ?
в [010] направления.
Угловую зависимость J
(?) в форме кривой 2, которая хорошо согласуется с (7) при К
= (2—4) ·10
А·см· (Вт)
(?=460нм).
Рис. 2. Спектральная зависимость J
(1), J
(2) и L=l
?
(3).