Последний отзыв
Да, первый рассказ из сборника, что я успела прочитать, что надо! И написано хорошо, и содержание необычное, но жизненное. Очень понравилось, хотя там...
Далее
По всем вопросам обращайтесь на: info@litportal.ru
(©) 2003-2024.
✖
Все науки. №6, 2022. Международный научный журнал
Настройки чтения
Размер шрифта
Высота строк
Поля
В то время, как измерявшаяся ранее в спектральная зависимость J
является монотонной, спектральная зависимость J
обнаруживает резкий максимум вблизи L1. Таким образом, спад J
в длинноволновой области, где L <<1, обуcловлен ПОФТ. Интересен спад J
в коротко волновой области, где L> 1.Так как АФ эффект не связан с временем жизни неравновесных носителей, то, возможно, это коротковолновой спад J
обусловлен уменьшением K
и, следовательно, подвижности в направлении [100].
2. ПРОСТРАНСТВЕННО ОСЦИЛИРУЮЩИЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТОК В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ ?-HgS
В работе рассмотрен фотовольтаические эффекты в оптически активных кристаллах ?-HgS. Обсуждены некоторые экспериментальные и физические основы фотовольтаического эффекта в активных кристаллах.
Сернистая ртуть HgS существует в двух модификациях: черная модификация – метациннабарит (?-HgS) -кристаллизуется в кубической системе (точечная группа 3m), красная модификация—циннабарит или киноварь (?-HqS) – кристаллизуется в тригональной системе (точечная группа 32).
В работе исследовались красные кристаллы киновари, обладающие особенно большим удельным вращением вдоль оптической оси для пропускаемых ими красных лучей r=235
/мм. Исследовались кристаллы ? – HgS, выращенными гидротермальным методом в лаборатория гидротер-мального синтез Институте кристаллографии Российской Академии наук. Исходными веществами для изготовления циннабарита были чистая ртуть в сера. Электрические, электрооптические свойства кристаллов ?-HgS и фотоэлектрические свойства кристаллов исследовались в [5,6].
Показано, что оптическая активность кристалла ?-HgS сильнее влияет на угловой распределение фотовольтаического тока, измеренного в линейно поляризованном свете.
Рис. 3. показывает ориентационную зависимость фотовольтаического тока J
(?) в ?-HgS. В соответствии с (1) и симметрией точечной группы 32, выражение для J
(?) при освещении в направлении оси y имеет вид
где – угол между плоскостью поляризации света и осью x.
Сравнение экспериментальной угловой зависимости J
(?) с (2) дает
К
= (1—2) ?10
А?см? (Вт)
(Т=133?, ?=500нм). Совпадение экспериментальной угловой зависимости J
(?) с (2) показывает, что в области сильного поглощения (?=500нм, ?*>> 100см
) влияние оптической активности в направлении оси y на угловое распределение J
(?) является незначительным. Влияние оптической активности в z- направлении было обнаружено при исследовании угловой зависимости J
(?) в различных спектральных областях (рис.1).
В соответствии с (1) угловая зависимость J
(?) приосвещение в z – направлении (ось z совпадает с осью симметрии третьего порядка) имеет вид.
где ? – угол между плоскостью поляризации света и осью y.
Рис.2 указывает на хорошее соответствие между экспериментальной зависимостью J
(?) и (3) в области сильного поглощения света (?= 400нм). Переход из коротковолновой области в длинноволновую, соответствующий уменьшению ?*, изменяет характер угловой зависимости J
(?) и ее амплитуду.
Рис.3. Ориентационная зависимость фотовольтаического тока J
(?) в a-HgS (T=133
K).
На рис.4 представлена спектрально-угловая диаграмма фотовольтаического тока J
. Очевидно, что ее форма определяется оптического активностью в z- направлении, ее спектральной дисперсией, а также спектральным распределением фотовольтаического эффекта в ?-HgS.
Оптическая зависимость в z – направлении приводит, таким образом, к образованию структуры пространственного осциллирующего фотовольтаического тока J
. Фотовольтаический ток осциллирует в z- направлении с периодом
Где ? – коэффициент оптической активности.
Угловая зависимость J
(?) совпадает с (3) только при условии сильного поглощения света
где ?*– коэффициент поглощения света.
Рис. 4. Спектрально – угловая диаграмма фотовольтаического тока в a-HgS (T=1330K). Направление распространения света указано в верхней части рисунка.
Примечание: Коллегия авторов приносит благодарности В. А. Кузнецову за предоставление кристаллов и В. М. Фридкину за обсуждение.
Литература
1. Glass A.M.Voh der Linbe D. Nerren T.J. High- voltage Bulk Photovoltaik ettect and the Photorefractive process in LiNbo. //J. Appl. Phys. Lett. 1974. N4 (25) p.233—236.
2.Фридкин В.М, Фотосегнетоэлектрики. М., «Наука», 1979, с.186—216.
3.Белиничер В. И. Исследования фотогальванических эффектов в кристаллах. Дисс. на соискание. докт. физ-мат. наук. Новосибирск. 1982. 350 С.
является монотонной, спектральная зависимость J
обнаруживает резкий максимум вблизи L1. Таким образом, спад J
в длинноволновой области, где L <<1, обуcловлен ПОФТ. Интересен спад J
в коротко волновой области, где L> 1.Так как АФ эффект не связан с временем жизни неравновесных носителей, то, возможно, это коротковолновой спад J
обусловлен уменьшением K
и, следовательно, подвижности в направлении [100].
2. ПРОСТРАНСТВЕННО ОСЦИЛИРУЮЩИЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТОК В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ ?-HgS
В работе рассмотрен фотовольтаические эффекты в оптически активных кристаллах ?-HgS. Обсуждены некоторые экспериментальные и физические основы фотовольтаического эффекта в активных кристаллах.
Сернистая ртуть HgS существует в двух модификациях: черная модификация – метациннабарит (?-HgS) -кристаллизуется в кубической системе (точечная группа 3m), красная модификация—циннабарит или киноварь (?-HqS) – кристаллизуется в тригональной системе (точечная группа 32).
В работе исследовались красные кристаллы киновари, обладающие особенно большим удельным вращением вдоль оптической оси для пропускаемых ими красных лучей r=235
/мм. Исследовались кристаллы ? – HgS, выращенными гидротермальным методом в лаборатория гидротер-мального синтез Институте кристаллографии Российской Академии наук. Исходными веществами для изготовления циннабарита были чистая ртуть в сера. Электрические, электрооптические свойства кристаллов ?-HgS и фотоэлектрические свойства кристаллов исследовались в [5,6].
Показано, что оптическая активность кристалла ?-HgS сильнее влияет на угловой распределение фотовольтаического тока, измеренного в линейно поляризованном свете.
Рис. 3. показывает ориентационную зависимость фотовольтаического тока J
(?) в ?-HgS. В соответствии с (1) и симметрией точечной группы 32, выражение для J
(?) при освещении в направлении оси y имеет вид
где – угол между плоскостью поляризации света и осью x.
Сравнение экспериментальной угловой зависимости J
(?) с (2) дает
К
= (1—2) ?10
А?см? (Вт)
(Т=133?, ?=500нм). Совпадение экспериментальной угловой зависимости J
(?) с (2) показывает, что в области сильного поглощения (?=500нм, ?*>> 100см
) влияние оптической активности в направлении оси y на угловое распределение J
(?) является незначительным. Влияние оптической активности в z- направлении было обнаружено при исследовании угловой зависимости J
(?) в различных спектральных областях (рис.1).
В соответствии с (1) угловая зависимость J
(?) приосвещение в z – направлении (ось z совпадает с осью симметрии третьего порядка) имеет вид.
где ? – угол между плоскостью поляризации света и осью y.
Рис.2 указывает на хорошее соответствие между экспериментальной зависимостью J
(?) и (3) в области сильного поглощения света (?= 400нм). Переход из коротковолновой области в длинноволновую, соответствующий уменьшению ?*, изменяет характер угловой зависимости J
(?) и ее амплитуду.
Рис.3. Ориентационная зависимость фотовольтаического тока J
(?) в a-HgS (T=133
K).
На рис.4 представлена спектрально-угловая диаграмма фотовольтаического тока J
. Очевидно, что ее форма определяется оптического активностью в z- направлении, ее спектральной дисперсией, а также спектральным распределением фотовольтаического эффекта в ?-HgS.
Оптическая зависимость в z – направлении приводит, таким образом, к образованию структуры пространственного осциллирующего фотовольтаического тока J
. Фотовольтаический ток осциллирует в z- направлении с периодом
Где ? – коэффициент оптической активности.
Угловая зависимость J
(?) совпадает с (3) только при условии сильного поглощения света
где ?*– коэффициент поглощения света.
Рис. 4. Спектрально – угловая диаграмма фотовольтаического тока в a-HgS (T=1330K). Направление распространения света указано в верхней части рисунка.
Примечание: Коллегия авторов приносит благодарности В. А. Кузнецову за предоставление кристаллов и В. М. Фридкину за обсуждение.
Литература
1. Glass A.M.Voh der Linbe D. Nerren T.J. High- voltage Bulk Photovoltaik ettect and the Photorefractive process in LiNbo. //J. Appl. Phys. Lett. 1974. N4 (25) p.233—236.
2.Фридкин В.М, Фотосегнетоэлектрики. М., «Наука», 1979, с.186—216.
3.Белиничер В. И. Исследования фотогальванических эффектов в кристаллах. Дисс. на соискание. докт. физ-мат. наук. Новосибирск. 1982. 350 С.
Последний отзыв
Да, первый рассказ из сборника, что я успела прочитать, что надо! И написано хорошо, и содержание необычное, но жизненное. Очень понравилось, хотя там...
Далее