Из-за небольших стерических затруднений, возникающих при боковом перекрывании, в рассмотренных комплексах реализуется схема с расположением иона металла над или под плоскостью, в которой находятся sp
-орбитали молекулы этилена.
При отсутствии таких ограничений может реализовываться схема с боковым перекрыванием, например, при образовании связи с молекулой СО, где такому перекрыванию способствует также несимметричное распределение электронной плотности в лепестках разрыхляющей орбитали, связанное с поляризацией связи.
Прочность донорно-акцепторной и дативной связи увеличивается с уменьшением различия в энергии донорной и акцепторной орбиталей в соответствии с величиной энергии стабилизации 106; 107:
?Е
~ S
/??,
где S – интеграл перекрывания; ?? – разница в энергии исходных орбиталей.
При переносе электронной плотности с ?-орбитали этилена происходит накопление положительного заряда в молекуле, что ограничивает перенос электронов, в то же время обратный перенос с занятых орбиталей металла нейтрализует этот заряд, и позволяет продолжить формирование более прочной донорно-акцепторной связи.
В свою очередь передача электронной плотности с молекулы на металл увеличивает донорные свойства металла.
В итоге имеет место синергизм, который приводит к образованию более прочной связи металла и молекулы и более значительному ослаблению связи в молекуле.
Для комплексов Цейзе и Караша связывание является слабым из-за пониженного дативного потенциала положительно заряженных ионов платины и палладия.
Результатом рассмотренных взаимодействий является уменьшение порядка и прочности углерод-углеродной связи в молекуле, что коррелирует с увеличением длины связи и со смещением пиков инфракрасного поглощения в длинноволновую область спектра.
Так, длина связи С–С увеличивается со 133,7 пм в свободной молекуле этилена до 137,0 пм в комплексе платины и этилена и до 148,0 пм в комплексе этилена и никеля Ni(CO)
[37].
Квантово-механический анализ взаимодействия на примере связывания молекулы СО и переходных металлов первой серии (3d-металлы) представлен в [106].
Электронная структура молекулы СО представлена на рис. 20.
Рис. 20. Электронная структура молекулы СО:
HOMO – high occupated molecular orbital;
LUMO – low unoccupated molecular orbital
В образовании связей в молекуле принимают участие
1?-орбиталь и две 1?-орбитали.
Молекулярные орбитали 2? и 3? не вносят вклада в связывание и являются фактически не поделенными электронными парами кислорода и углерода соответственно.
На самом деле орбиталь 3? является слегка разрыхляющей орбиталью для молекулы. Эта орбиталь участвует в донорно-акцепторном связывании с d-металлом в качестве донора электронов.
Особенностью электронного строения молекулы СО является несимметричное распределение электронной плотности между лепестками ?- и ?*-МО. Несимметричность обусловлена различиями в электроотрицательности и в уровнях энергии атомов углерода и кислорода, образующих молекулу.
?-МО является связующей в молекуле, и по энергии она ближе к энергии p-AO кислорода, в связи с чем электронная плотность смещена в лепесток у атома кислорода.
?*-орбиталь как разрыхляющая орбиталь молекулы ближе по энергии к p-орбитали атома углерода, что обусловливает концентрацию электронной плотности орбитали в лепестке у атома углерода (рис. 21).
Рис. 21. Электронные схемы ?*-, ?-орбитали
В связи с тем что ?-связывание с металлом происходит через атом углерода, подобное несимметричное распределение ?-электронной плотности более благоприятно для связывания dxz-орбитали металла с ?*-орбиталью (рис. 22).
Расчетное отношение интегралов перекрывания для ?- и ?*-орбиталей составляет 1,78 в пользу ?*-орбитали.
Поскольку энергия стабилизации при образовании связи пропорциональна квадрату интеграла перекрывания, то выигрыш в энергии при образовании связи с ?*-орбиталью больше в 3,2 раза. Такой выигрыш благоприятен для проявления ?-акцепторного характера ?*-МО. Вместе с тем необходимо учитывать различие в энергиях орбиталей ??.
Значения ?? представлены в табл. 5.
Рис. 22. Схема dxz-орбиталей атома металла
с ?*-МО и ?-МО молекулы СО
Таблица 5
Энергетические уровни d-металлов
и орбиталей молекулы СО [106]
Энергия
Sc
Ti
V
Cr
Mn
Fе
Co
Ni
Сu
–8,5
–10,8
–11,0