Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе

позиции в рейтинге популярности произведений:
ПЕРИОД МЕСТО
сутки 1
месяц 7  (new)
год 50  (new)

Купить полную версию:

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе

Анонс

Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электрон-фононное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интесивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фононами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. В работе отражены результаты исследований авторов, проведенных в 1994-2010 гг.
Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.

МНЕНИЯ И ОТЗЫВЫ ЧИТАТЕЛЕЙ

ОСТАВЛЯТЬ СВОИ МНЕНИЯ, КОММЕНТАРИИ, ПРИНИМАТЬ УЧАСТИЕ В ОБСУЖДЕНИИ, ВЫ СМОЖЕТЕ ТОЛЬКО ПОСЛЕ ТОГО КАК СТАНЕТЕ ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫМ ЧИТАТЕЛЕМ
ЗАПИСАТЬСЯ В БИБЛИОТЕКУ

ЕСЛИ ВЫ ЯВЛЯЕТЕСЬ ЗАРЕГИСТРИРОВАННЫМ ЧИТАТЕЛЕМ, ТО ВАМ НЕОБХОДИМО ВОЙТИ В СИСТЕМУ СО СВОИМИ УЧЕТНЫМИ ДАННЫМИ
ВХОД В БИБЛИОТЕКУ

список сообщений пуст